Автор(ы): Заглавие: Моделирование формирования нанокластеров GaN методом капельной эпитаксии на подложке Si(111) : выпускная квалификационная работа, научный руководитель Настовьяк Алла Георгиевна. Выходные данные: Новосибирск, 2023. Полное описание
|