Информация о ресурсе

Автор(ы):

Литвиненко М. А.

Заглавие:

Моделирование формирования нанокластеров GaN методом капельной эпитаксии на подложке Si(111) : выпускная квалификационная работа, научный руководитель Настовьяк Алла Георгиевна

Выходные данные:

Новосибирск, 2023

Полный текст:

перейти / скачать файл

Тип:

выпускные квалификационные работы

Предметная область:

электроника, радиотехника и системы связи

Кафедра/
подразделение-разработчик:

каф. ППиМЭ (факультет РЭФ)

Наверх