| Автор(ы): | Литвиненко М. А. |
| Заглавие: | Моделирование формирования нанокластеров GaN методом капельной эпитаксии на подложке Si(111) : выпускная квалификационная работа, научный руководитель Настовьяк Алла Георгиевна |
| Выходные данные: | Новосибирск, 2023 |
| Полный текст: |
перейти / скачать файл |
| Тип: | выпускные квалификационные работы |
| Предметная область: |
электроника, радиотехника и системы связи |
| Кафедра/ подразделение-разработчик: |
каф. ППиМЭ (факультет РЭФ) |