Работы автора

Вернуться в каталог

Автор: Шеховцов А. С.
Год:	Тип:
Авторы: # \| - \| A \| B \| D \| F \| G \| H \| I \| K \| L \| M \| N \| O \| P \| R \| S \| T \| V \| W \| Z \| А \| Б \| В \| Г \| Д \| Е \| Ё \| Ж \| З \| И \| Й \| К \| Л \| М \| Н \| О \| П \| Р \| С \| Т \| У \| Ф \| Х \| Ц \| Ч \| Ш \| Щ \| Э \| Ю \| Я \| \|

Найдено ресурсов: 1

Полные тексты ресурсов ЭБС доступны только авторизованным пользователям.

Автор(ы): Шеховцов А. С.
Заглавие: Исследование структурных и электрофизических характеристик эпитаксиальных систем Ge на Si, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : выпускная квалификационная работа, научный руководитель Настовьяк Алла Георгиевна.
Выходные данные: Новосибирск, 2025. Полное описание

Полный текст:

перейти / скачать файл

Консультационная поддержка ЭБС НГТУ: Научная библиотека, 1 корпус, к. 110, 112, тел.: +7 (383) 346 02 46, +7 (383) 346 29 43 (доп. 31-63), эл. почта:

Техническая поддержка ЭБС НГТУ: Центр информатизации университета, 1 корпус, к. 301а, 301, 306, тел.: +7 (383) 319 61 10, эл. почта:

Новосибирский государственный технический университет

Работы автора