Электронно-библиотечная система НГТУ / Информация о ресурсе
Подождите, идет поиск...Информация о ресурсе
| Автор(ы): | Шеховцов А. С. |
| Заглавие: | Исследование структурных и электрофизических характеристик эпитаксиальных систем Ge на Si, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : выпускная квалификационная работа, научный руководитель Настовьяк Алла Георгиевна |
| Выходные данные: | Новосибирск, 2025 |
| Полный текст: |
перейти / скачать файл |
| Тип: | выпускные квалификационные работы |
| Предметная область: |
нанотехнологии и наноматериалы |
| Кафедра/ подразделение-разработчик: |
каф. ППиМЭ (факультет РЭФ) |