НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
ЭЛЕКТРОННО-БИБЛИОТЕЧНАЯ СИСТЕМА

Информация о ресурсе

Автор(ы):
Дорогой С. В.
Заглавие:
Расчет параметров идеального полупроводникового диода на основе p-n-перехода : методические указания к выполнению расчетно-графической работы для 2 курса РЭФ
Выходные данные:
Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2013
Полный текст:
Тип:
методические пособия
Предметная область:
электроника
Ключевые слова:
p-n переходы
полупроводниковые диоды
расчет параметров
Кафедра/
подразделение-разработчик:
каф. КТРС (факультет РЭФ)
Лицензионные договоры:
внесен лицензионный договор для автора Дорогой С.В.
Наверх