НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
ЭЛЕКТРОННО-БИБЛИОТЕЧНАЯ СИСТЕМА

Информация о ресурсе

Автор(ы):
Булышкина Д. Д.
Заглавие:
Установление основных закономерностей зарождения и роста нанокристаллов InSb в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами In+ и Sb+, вблизи границы сращивания Si/SiO2 : выпускная квалификационная работа, научный руководитель Шварц Наталия Львовна
Выходные данные:
Новосибирск, 2025
Полный текст:
Тип:
выпускные квалификационные работы
Предметная область:
нанотехнологии и наноматериалы
Кафедра/
подразделение-разработчик:
каф. ППиМЭ (факультет РЭФ)
Наверх