| Автор(ы): | Булышкина Д. Д. |
| Заглавие: | Установление основных закономерностей зарождения и роста нанокристаллов InSb в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами In+ и Sb+, вблизи границы сращивания Si/SiO2 : выпускная квалификационная работа, научный руководитель Шварц Наталия Львовна |
| Выходные данные: | Новосибирск, 2025 |
| Полный текст: |
перейти / скачать файл |
| Тип: | выпускные квалификационные работы |
| Предметная область: |
нанотехнологии и наноматериалы |
| Кафедра/ подразделение-разработчик: |
каф. ППиМЭ (факультет РЭФ) |