НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
ЭЛЕКТРОННО-БИБЛИОТЕЧНАЯ СИСТЕМА

Информация о ресурсе

Автор(ы):
Рыжков П. Е.
Заглавие:
Оптимизация блока формирования JFET транзистора в составе биполярного технологического маршрута : выпускная квалификационная работа, научный руководитель Остертак Дмитрий Иванович
Выходные данные:
Новосибирск, 2022
Полный текст:
Тип:
выпускные квалификационные работы
Предметная область:
нанотехнологии и наноматериалы
Кафедра/
подразделение-разработчик:
каф. ППиМЭ (факультет РЭФ)
Наверх